Fabrikgefertigter, heiß begehrter Snubber für Hochleistungsthyristoren – Hochwertiger IGBT-Snubberkondensator für Hochleistungsanwendungen – CRE

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„Qualität steht an erster Stelle; Service ist das Wichtigste; Geschäft basiert auf Zusammenarbeit“ ist unsere Geschäftsphilosophie, die von unserem Unternehmen ständig befolgt und verfolgt wird.AC-Filter Leistungselektronikkondensator, Gleichstrom-Folienkondensatoren , AC-Filter für EPS-AnwendungWir hoffen sehr, in naher Zukunft eine zufriedenstellende Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufbauen zu können. Wir werden Sie über unsere Fortschritte auf dem Laufenden halten und freuen uns auf eine dauerhafte Zusammenarbeit.

Fabrikgefertigter, heiß begehrter Snubber für Hochleistungsthyristoren – Hochwertiger IGBT-Snubberkondensator für Hochleistungsanwendungen – CRE Detail:

Technische Daten

Betriebstemperaturbereich	Maximale Betriebstemperatur, oben, max.: +105℃ Temperatur der oberen Kategorie: +85℃ Untere Kategorie Temperatur: -40℃
Kapazitätsbereich	0,1 μF bis 5,6 μF
Nennspannung	700 V DC bis 3000 V DC
Cap.tol	±5 % (J); ±10 % (K)
Spannungsfestigkeit	1,5 Un DC/10S
Verlustfaktor	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Isolationswiderstand	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (bei 20℃ 100V.DC 60S) C > 0,33 μF RS*C ≥ 5000 s (bei 20 °C, 100 V DC, 60 s)
Blitzschlag standhalten	siehe Datenblatt
Flammschutz	UL94V-0
Lebenserwartung	100.000 Stunden (Un; Θhotspot≤85°C)
Referenzstandard	IEC61071;GB/T17702;

Spezifikationstabelle

Stromspannung	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Dimension (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33
Stromspannung	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Dimension (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32
Stromspannung	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32
Stromspannung	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32
Stromspannung	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32
Stromspannung	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Produktabbildungen:

Verwandter Produktleitfaden:

In den letzten Jahren hat unser Unternehmen fortschrittliche Technologien aus dem In- und Ausland aufgenommen und integriert. Unser Expertenteam entwickelt den werksseitig gefertigten, gefragten Snubber für Hochleistungsthyristoren – einen hochwertigen IGBT-Snubber-Kondensator für Hochleistungsanwendungen (CRE). Das Produkt wird weltweit vertrieben, unter anderem in den Irak, nach Monaco und Serbien. Um unsere führende Position in der Branche zu behaupten, arbeiten wir kontinuierlich daran, die Grenzen des Machbaren in allen Bereichen zu erweitern und optimale Produkte zu entwickeln. So tragen wir zu einem besseren Lebensumfeld für die globale Gemeinschaft bei.

Wechselstromfilter für Schienenfahrzeug-Stromversorgungssysteme

DC-Link-Kondensator für industrielle Wechselrichter

Trockenfilmkondensator

Filmkondensatorenfabrik

Hersteller von Folienkondensatoren

Globaler Kondensatorlieferant

Hochenergiespeicherkondensatoren

IGBT-Snubber

Mittelfrequenz-Ofenresonanzkondensator

Leistungskondensator für DC-Verbindung

Das Unternehmen kann sich in unsere Lage versetzen und handelt mit höchster Dringlichkeit im Interesse unserer Position. Man kann also sagen, dass es sich um ein verantwortungsbewusstes Unternehmen handelt. Die Zusammenarbeit war sehr erfreulich!