Hochstrom-Folienkondensator-Snubber für Schweißmaschinen (SMJ-TC)

Kurzbeschreibung:

Kondensatormodell: SMJ-TC

Merkmale:

1. Kupfermutterelektroden

2. Kleine Abmessungen und einfache Installation

3. Wickeltechnologie für Mylar-Band

4. Trockenharzfüllung

5. Niedrige äquivalente Serieninduktivität (ESL) und niedriger äquivalenter Serienwiderstand (ESR)

Anwendungsbereiche:

1. GTO-Stoßdämpfer

2. Schutz vor Spitzenspannung und Spitzenstrom für Schaltkomponenten in elektronischen Geräten

Snubber-Schaltungen sind für Dioden in Schaltkreisen unerlässlich. Sie schützen die Diode vor Überspannungsspitzen, die während des Sperrvorgangs auftreten können.

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Produktdetails

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Technische Daten

Betriebstemperaturbereich	Maximale Betriebstemperatur, oben: +85 °C, obere Kategorie: +85 °C, untere Kategorie: -40 °C
Kapazitätsbereich	0,22～3μF
Nennspannung	3000 V DC bis 10000 V DC
Cap.tol	±5 % (J); ±10 % (K)
Spannungsfestigkeit	1,35 Un DC/10S
Verlustfaktor	tgδ≤0,001 f=1KHz
Isolationswiderstand	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (bei 20℃ 100V.DC 60S) C > 0,33 μF RS*C ≥ 5000 s (bei 20 °C, 100 V DC, 60 s)
Blitzschlag standhalten	siehe Datenblatt
Lebenserwartung	100.000 Stunden (Un; Θhotspot≤70°C)
Referenzstandard	IEC 61071 ;

Besonderheit

1. Mylar-Band, mit Harz versiegelt;

2. Kupfermutteranschlüsse;

3. Beständigkeit gegen hohe Spannungen, niedriges tgδ, geringer Temperaturanstieg;

4. niedrige ESL- und ESR-Werte;

5. Hoher Impulsstrom.

Anwendung

1. GTO-Snubber.

2. Weit verbreitet in leistungselektronischen Geräten zum Schutz vor Spannungsspitzen und Stromspitzen.

Typischer Schaltkreis

Umrisszeichnung

Spezifikation

Un=3000V.DC
Kapazität (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1,5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapazität (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapazität (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1,5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapazität (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1,5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapazität (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1,5	95	114	123	30	800	1200	70