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Hochstrom-Folienkondensator-Überspannungsschutz für Schweißmaschine (SMJ-TC)

Kurze Beschreibung:

Kondensatormodell: SMJ-TC

Merkmale:

1. Elektroden mit Kupfermuttern

2. Geringe physische Größe und einfache Installation

3. Mylar-Bandwickeltechnologie

4. Trockene Harzfüllung

5. Niedrige äquivalente Serieninduktivität (ESL) und äquivalenter Serienwiderstand (ESR)

Anwendungen:

1. GTO-Snubber

2. Spitzenspannungs- und Spitzenstromaufnahme und Schutz für Schaltkomponenten in elektronischen Geräten

 

Überspannungsschutzschaltungen sind für Dioden, die in Schaltkreisen verwendet werden, unerlässlich.Es kann eine Diode vor Überspannungsspitzen schützen, die während des Reverse-Recovery-Prozesses auftreten können.


Produktdetail

Produkt Tags

Technische Daten

Betriebstemperaturbereich Max. Betriebstemperatur.,Top,max: + 85℃Obere Kategorietemperatur: +85℃Untere Kategorietemperatur: -40℃
Kapazitätsbereich

0,22 ~ 3 μF

Nennspannung

3000 V DC ~ 10000 V DC

Cap.tol

±5 %(J) ;±10 %(K)

Spannung standhalten

1,35Un DC/10S

Verlustfaktor

tgδ≤0,001 f=1KHz

Isolationswiderstand

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (bei 20℃ 100V.DC 60S)

C>0,33μF RS*C≥5000S (bei 20℃ 100V.DC 60S)

Schlagstrom aushalten

siehe Datenblatt

Lebenserwartung

100.000 Stunden (Un; Θhotspot≤70°C)

Referenzstandard

IEC 61071;

Besonderheit

1. Mylarband, mit Harz versiegelt;

2. Kupfermutterleitungen;

3. Beständigkeit gegen Hochspannung, niedrige tgδ, geringer Temperaturanstieg;

4. niedrige ESL und ESR;

5. Hoher Impulsstrom.

Anwendung

1. GTO-Snubber.

2. Weit verbreitet in leistungselektronischen Geräten, wenn die Spitzenspannung, Spitzenstromabsorptionsschutz.

Typische Schaltung

1

Umrisszeichnung

2

Spezifikation

Un=3000V.DC

Kapazität (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,22

35

44

52

25

1100

242

30

0,33

43

44

52

25

1000

330

35

0,47

51

44

52

22

850

399

45

0,68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2,0

60

70

84

30

500

1000

55

3,0

73

70

84

30

400

1200

65

4,0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V.DC

Kapazität (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,22

43

60

72

25

1500

330

35

0,33

52

60

72

25

1200

396

45

0,47

62

60

72

25

1000

470

50

0,68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V.DC

Kapazität (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,22

45

57

72

25

1100

242

30

0,68

36

80

92

28

1000

680

25

1,0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2,0

60

80

92

23

650

1300

45

3,0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V.DC

Kapazität (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,33

35

90

102

30

1100

363

25

0,47

41

90

102

28

1000

470

30

0,68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2,0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V.DC

Kapazität (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,33

45

114

123

35

1500

495

30

0,47

54

114

123

35

1300

611

35

0,68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


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